三星电子

据新浪科技转引 IT之家与首尔经济日报 10 月 18 日报道（https://finance.sina.com.cn/tech/digi/2026-10-18/doc-inivsnmi7112348.shtml ），三星电子将采用台积电 3 纳米制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存 NVHBM 的核心组件基底裸片。此前三星供应的所有 HBM 产品中，核心裸片与充当系统半导体的基底裸片都由三星自主生产，这次是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。业内消息 18 日称，英伟达已向三家 NVHBM 供应商三星、SK 海力士、美光提出统一要求，使用台积电 3nm 制造基底裸片，核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于第七代下一代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达 8 月发布的定制版高带宽内存。标准 HBM 与面向 AMD 的定制 HBM，三星仍保留一站式全包生产。 英伟达为什么要把三家供应商的制造方案统一？ 三家 HBM 厂商各自设计方案，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，英伟达针对每家单独验证产品的工作量巨大。把基底裸片制造工艺统一到台积电 3nm、核心裸片统一到 1c DRAM，等于把供应链的可变项压缩，让三家产出可以互换、性能可比，验证成本下降，供货冗余增加。这是大客户用采购量倒逼供应链标准化，表面是工艺选择，实质是把 HBM 从各家专属产品变成可替换的标准部件。 三星放弃一站式全包对存储巨头意味着什么？ 长期以来三星把 HBM 的核心裸片、基底裸片全部自产，垂直一体是它的核心竞争力。接受英伟达要求，等于在 NVHBM 这一条线上把最能体现系统能力的基底裸片外包给代工，利润与制造主导权让出一部分。三星的应对是保留预案，正在验证能否在自有产线制造 NVHBM 基底裸片，防止台积电产能上限挡住需求；标准 HBM 与 AMD 客户的定制产品继续全包。这说明外包是对英伟达订单的妥协，不是战略转向。 台积电为什么能切进 HBM 基底这个过去的封闭环节？ 基底裸片承担互连、控制与接口，本质是系统半导体，用先进逻辑工艺制造更合适，过去被存储厂自研 4nm 代工覆盖。英伟达指定 3nm 之后，台积电以先进制程与产能规模切入存储供应链，HBM 产业链第一次明确把晶圆代工环节拉进来。SK 海力士此前还被传考虑把部分基底裸片交给英特尔制造，说明存储厂都在寻找代工备份，HBM 制造正在从单一垂直走向分工组合。 ...